近日，由中科潞安牽頭實(shí)施的國家科技部“十四五”重點(diǎn)研發(fā)項目“大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)（典型應用示范）”成功獲得立項。本項目總預算達4450萬(wàn)元，由中科潞安總經(jīng)理閆建昌擔任項目負責人，參與單位還包括北京中博芯半導體科技有限公司、泉州三安半導體科技有限公司、華中科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導體研究所、西安電子科技大學(xué)、材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗室、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所、北京工業(yè)大學(xué)和中北大學(xué)等9家科研院所、企業(yè)。

本項目研究?jì)热菡w分為四個(gè)子課題：一是面向大功率深紫外LED需求，研究2-4英寸藍寶石襯底上深紫外AlGaN基LED高量子效率發(fā)光有源區結構外延技術(shù)；二是研究低電壓、高出光效率、大功率深紫外AlGaN基LED芯片制備關(guān)鍵技術(shù)；三是研究深紫外LED高光提取效率、高氣密性、低熱阻封裝技術(shù)；四是研究深紫外AlGaN基LED的外延結構、器件和封裝工藝等對器件失效和光衰的影響機制，發(fā)展器件標準化評價(jià)方法。

本項目的成功立項，是中科潞安共建國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（山西）以來(lái)獲批的首個(gè)國家級研發(fā)項目，是科技部對山西省第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈整體研發(fā)實(shí)力的充分肯定，標志著(zhù)中科潞安的科技創(chuàng )新水平提升到了一個(gè)新的高度。本項目將進(jìn)一步強化中科潞安在中國深紫外技術(shù)變革和創(chuàng )新研發(fā)中的主體地位，推動(dòng)本行業(yè)上下游企業(yè)的科技聯(lián)動(dòng)和深度融合，有助于全行業(yè)面向國家重大需求，集中優(yōu)勢資源聚焦行業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，形成跨行業(yè)、跨區域的研發(fā)布局和協(xié)同創(chuàng )新體系。

2022年以來(lái)，中科潞安科研立項成果頗豐，新增立項4項，其中牽頭1項科技部十四五重點(diǎn)研發(fā)計劃和1項山西省重點(diǎn)研發(fā)計劃，參與1項科技部十四五重點(diǎn)研發(fā)計劃和1項海南省重點(diǎn)研發(fā)計劃。全年新增創(chuàng )新平臺3個(gè)，獲批建設國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心山西區域分中心、山西省深紫外LED技術(shù)創(chuàng )新中心和山西省產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟，實(shí)現了國家級、省級和市級創(chuàng )新平臺全覆蓋的建設目標。

（文 孔靜 王建瑞）

責任編輯：李世臣