中科潞安公司成立之初，就著(zhù)手布局大功率LED芯片的研發(fā)生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)技術(shù)人員的不懈努力及協(xié)同攻關(guān)，近日已成功研制出光功率輸出在120mW以上的大功率芯片，該芯片無(wú)論是研發(fā)性能還是量產(chǎn)水平，均走在行業(yè)前列，可更好地滿(mǎn)足UVC-LED市場(chǎng)的多元化需求。

大功率深紫外芯片目前主要應用于靜態(tài)水模組、流動(dòng)水殺菌等對殺菌性能和效果要求較高的場(chǎng)景。中科潞安45*45mil大功率LED芯片，在外延結構優(yōu)化、初始版圖設計、電極結構設計、電極歐姆接觸驗證及多工段的工藝優(yōu)化等方面，均做了大量的實(shí)驗驗證及技術(shù)攻關(guān)，尤其較為關(guān)鍵的p型AlGaN和芯片電極經(jīng)持續優(yōu)化、改進(jìn)，實(shí)現了光電性能的大幅躍升。該大功率LED芯片，經(jīng)國內權威第三方檢測機構檢測結果顯示，在注入電流350mA的條件下，輸出光功率可達88.39mW，工作電壓5.71V；在注入電流500mA的條件下，輸出光功率可達122.82mW，工作電壓5.90V；飽和電流可達1860mA。該水平在國內市場(chǎng)首屈一指，可以實(shí)現穩定量產(chǎn)。

與此同時(shí)，中科潞安積極響應客戶(hù)需求，不斷升級改造，加快拓展應用領(lǐng)域，芯片功率和效率的提升將會(huì )推動(dòng)未來(lái)深紫外LED產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。中科潞安致力于打造深紫外LED行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，將技術(shù)革新作為企業(yè)生存和發(fā)展的內驅力，申報了十余項國家級、省市級科技項目。特別是在2020年立項的“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術(shù)”項目的支持下，大功率芯片關(guān)鍵技術(shù)取得了創(chuàng )新突破。

（文/圖 孔靜 俄文文）

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